供应稳压贴片三极管，优质厂家直销稳压贴片三极管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | S8050(J3Y) | |
| 品牌/商标： | HT | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 功率特性： | 大功率 | |
| 频率特性： | | |
| 极性： | |
一、稳压贴片三极管参数：
晶体管类型： NPN
电流 - 集电极 (Ic)（）： 1.5A
电压 - 集电极发射极击穿（）： 25V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）： 500mV @ 80mA, 800mA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)： 85 @ 100mA, 1V
功率 - ： 1W
频率 - 转换： 100MHz
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商设备封装： TO-92-3
包装： 散装
二、工作原理：
由于基区很薄，加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic，这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：β1=Ic/Ib 式中：β1--称为直流放大倍数，集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：β= △Ic/△Ib。式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。
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供应PHILOP贴片三极管625mW，代理PHILOP贴片三极管
信息内容：一、PHILOP贴片三极管参数： 晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（）： 1.5A 电压 - 集电极发射极击穿（）： 25V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）： 500mV @ 80mA, 800mA 电流 - 集电极截止（）： 100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)： 120 @ 100mA, 1V 功率 - ： 625mW 频率 - 转换： 100MHz 安装类型： 表面贴装 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 二、PHILOP贴片三极管工作原理： 当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流了。
供应JCST贴片三极管特价产品，JCST贴片三极管直销代理
信息内容：一、JCST贴片三极管参数： 晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（）： 1.5A 电压 - 集电极发射极击穿（）： 25V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）： 500mV @ 80mA, 800mA 电流 - 集电极截止（）： 100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)： 120 @ 100mA, 1V 功率 - ： 625mW 频率 - 转换： 100MHz 安装类型： 表面贴装 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商设备封装： SOT-23 包装： 剪切带 (CT) 二、JCST贴片三极管工作原理： 晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。 对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。
