N沟MOSF管IRF3710S
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRF3710S |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 100（V） | 夹断电压 | 4（V） |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET
| IRF3710(S,L)PbF |
| D2PAK, TO-263 |
| IR Hexfet D2PAK |
| 800 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 23 毫欧 @ 28A, 10V |
| 100V |
| 57A |
| 4V @ 250µA |
| 130nC @ 10V |
| 3130pF @ 25V |
| 200W |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRFL014N
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFL014N 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 10（V） 夹断电压 60（V） 跨导 0（μS） 极间电容 300（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 270（mA） 耗散功率 2000（mW） SOT-223, N沟MOSFET类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 1.6A, 10V漏极至源极电压(...
