| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFL014N |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | CC/恒流 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 10(V) | 夹断电压 | 60(V) |
| 跨导 | 0(μS) | 极间电容 | 300(pF) |
| 低频噪声系数 | 0(dB) | 漏极电流 | 270(mA) |
| 耗散功率 | 2000(mW) |
SOT-223, N沟MOSFET
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| - |
| MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 标准型 |
| 200 毫欧 @ 1.6A, 10V |
| 60V |
| 2.7A |
| 4V @ 250µA |
| 11nC @ 10V |
| 300pF @ 25V |
| 2W |
| 表面贴装 |
| TO-261-4, TO-261AA |
| 带卷 (TR) |
| SOT-223 |
品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 TIP122 应用范围 达林顿 极性 NPN型 击穿电压VCBO 100(V) 集电极允许电流ICM 5(A) 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 数据列表TIP120-22产品相片TO-220-3 Pkg产品变化通告Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007产品目录绘图Transistor TO-220(AB)标准包装200类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN - 达林顿电流 - 集电极 (Ic)()5A电压 - 集电极发射极击穿()100VIb、Ic条件下的Vce饱和度()4V @ 20mA, 5A电流 - 集电极截止()500µA在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)1000 @ 3A, 3V功率 - 2W频率 - 转换-安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220包装散装
品牌/商标 TI 型号/规格 OPA3691IDBQTG4 封装 SSOP16 批号 08+ 类型 放大器 数据列表OPA3691产品相片16-SSOP视频文件OPA369 Op Amp标准包装250类别集成电路 (IC)家庭线性 - 放大器 - 仪表,运算放大器,缓冲放大器系列-放大器类型电流反馈电路数3输出类型-转换速率2100 V/µs增益带宽积2GHz-3db带宽280MHz电流 - 输入偏压15µA电压 - 输入偏移800µV电流 - 电源15.3mA电流 - 输出 / 通道190mA电压 - 电源,单路/双路(±)5 V ~ 12 V, ±2.5 V ~ 6 V工作温度-40°C ~ 85°C安装类型表面贴装封装/外壳16-SSOP(0.154", 3.90mm 宽)供应商设备封装16-SSOP/QSOP包装带卷 (TR)