BC807
| 价 格： | 0.50 |
| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | BC807 |
| 应用范围 | 放大 | 极性 | PNP型 |
| 击穿电压VCBO | 45（V） | 集电极允许电流ICM | 0（A） |
| 集电极耗散功率PCM | 0（W） | 截止频率fT | 80（MHz） |
| 结构 | 面接触型 | 封装形式 | 贴片型 |
| 封装材料 | 塑料封装 |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRFL014N
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFL014N 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 10（V） 夹断电压 60（V） 跨导 0（μS） 极间电容 300（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 270（mA） 耗散功率 2000（mW） SOT-223, N沟MOSFET类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 1.6A, 10V漏极至源极电压(...
达林顿晶体管TIP122
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 TIP122 应用范围 达林顿 极性 NPN型 击穿电压VCBO 100（V） 集电极允许电流ICM 5（A） 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 数据列表TIP120-22产品相片TO-220-3 Pkg产品变化通告Lead Frame Dimensions Change 29/Nov/2007产品目录绘图Transistor TO-220(AB)标准包装200类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN - 达林顿电流 - 集电极 (Ic)（）5A电压 - 集电极发射极击穿（）100VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）4V @ 20mA, 5A电流 - 集电极截止（）500µA在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)1000 @ 3A, 3V功率 - 2W频率 - 转换-安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220包装散装
