价 格: | 面议 | |
型号/规格: | MMBT3904 | |
品牌/商标: | JCST(长电) | |
封装形式: | SOT-23 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 | |
功率特性: | 大功率 | |
频率特性: | | |
整流电流: | | |
反向击穿电流: | |
一、长电贴片二极管参数:
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极 (Ic)() 200mA
电压 - 集电极发射极击穿() 40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度() 300mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止() -
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) 100 @ 10mA, 1V
功率 - 250mW
频率 - 转换 300MHz
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装 TO-236AB
二、长电贴片二极管正向性:
外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压
一、SOT贴片二极管参数: 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(): 200mA 电压 - 集电极发射极击穿(): 40V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(): 300mV @ 5mA, 50mA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 100 @ 10mA, 1V 功率 - : 200mW 频率 - 转换: 300MHz 二、SOT贴片二极管雪崩击穿: 另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结性损坏。
一、IT用贴片二极管参数: 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(): 200mA 电压 - 集电极发射极击穿(): 40V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(): 300mV @ 5mA, 50mA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 100 @ 10mA, 1V 功率 - : 227mW 频率 - 转换: 300MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOT-923F 二、IT用贴片二极管齐纳击穿: 反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。 三、公司介绍: 我司创立于1991年,在近20年的市场博弈中,凭借着“天旺”人持之以恒的努力,在中国电子信息产业讯速发展的的契机下,使“天旺”发展成为产、供、销一条龙,科、工、贸一体化的新型高新技术集团公司。公司集元器件研发销售、代理销售、战略联盟销售、进出口报关物流等多项业务于一体。集更多的优势接受市场的挑战,灵活服务于客户。