价 格: | 面议 | |
型号/规格: | MMBT3904 | |
品牌/商标: | JCST(长电) | |
封装形式: | SOT-23 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 | |
功率特性: | | |
频率特性: | | |
整流电流: | | |
反向击穿电流: | |
一、IT用贴片二极管参数:
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(): 200mA
电压 - 集电极发射极击穿(): 40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(): 300mV @ 5mA, 50mA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 100 @ 10mA, 1V
功率 - : 227mW
频率 - 转换: 300MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-923F
二、IT用贴片二极管齐纳击穿:
反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。
三、公司介绍:
我司创立于1991年,在近20年的市场博弈中,凭借着“天旺”人持之以恒的努力,在中国电子信息产业讯速发展的的契机下,使“天旺”发展成为产、供、销一条龙,科、工、贸一体化的新型高新技术集团公司。公司集元器件研发销售、代理销售、战略联盟销售、进出口报关物流等多项业务于一体。集更多的优势接受市场的挑战,灵活服务于客户。
一、工控用贴片二极管参数: 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(): 200mA 电压 - 集电极发射极击穿(): 40V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(): 300mV @ 5mA, 50mA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) :100 @ 10mA, 1V 功率 - : 227mW 频率 - 转换; 300MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOT-923F 供应商设备封装: SOT-923F 包装: 剪切带 (CT) 二、二极管的特性曲线: 与PN结一样,二极管具有单向导电性。硅二极管典型伏安特性曲线。在二极管加有正向电压,当电压值较小时,电流极小;当电压超过0.6V时,电流开始按指数规律增大,通常称此为二极管的开启电压;当电压达到约0.7V时,二极管处于完全导通状态,通常称此电压为二极管的导通电压,用符号UD表示。对于锗二极管,开启电压为0.2V,导通电压UD约为0.3V。 在二极管加有反向电压,当电压值较小时,电流极小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时,电流开始急剧增大,称之为反向击穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大,从几十伏到几千伏。
一、片状贴片二极管参数: 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(): 200mA 电压 - 集电极发射极击穿(): 40V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(): 300mV @ 5mA, 50mA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) :100 @ 10mA, 1V 功率 - : 227mW 频率 - 转换: 300MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOT-923F 供应商设备封装: SOT-923F 包装: 带卷 (TR) 二、产品介绍: 二极管的管压降:硅二极管(不发光类型)正向管压降0.7V,锗管正向管压降为0.3V,发光二极管正向管压降会随不同发光颜色而不同。主要有三种颜色,具体压降参考值如下:红色发光二极管的压降为2.0--2.2V,黄色发光二极管的压降为1.8—2.0V,绿色发光二极管的压降为3.0—3.2V,正常发光时的额定电流约为20mA。二极管的电压与电流不是线性关系,所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻