供应SOT贴片二极管特价二极管，优质SOT贴片二极管品牌
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | MMBT3904 | |
| 品牌/商标： | HT | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 功率特性： | | |
| 频率特性： | | |
| 整流电流： | | |
| 反向击穿电流： | |
一、SOT贴片二极管参数：
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（）: 200mA
电压 - 集电极发射极击穿（）: 40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）: 300mV @ 5mA, 50mA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 100 @ 10mA, 1V
功率 - : 200mW
频率 - 转换: 300MHz
二、SOT贴片二极管雪崩击穿：
另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结性损坏。
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供应IT用贴片二极管优质厂家直销，二极管优质厂家
信息内容：一、IT用贴片二极管参数： 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（）: 200mA 电压 - 集电极发射极击穿（）: 40V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）: 300mV @ 5mA, 50mA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 100 @ 10mA, 1V 功率 - : 227mW 频率 - 转换: 300MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOT-923F 二、IT用贴片二极管齐纳击穿： 反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。 三、公司介绍： 我司创立于1991年，在近20年的市场博弈中，凭借着“天旺”人持之以恒的努力，在中国电子信息产业讯速发展的的契机下，使“天旺”发展成为产、供、销一条龙，科、工、贸一体化的新型高新技术集团公司。公司集元器件研发销售、代理销售、战略联盟销售、进出口报关物流等多项业务于一体。集更多的优势接受市场的挑战，灵活服务于客户。
供应工控用贴片二极管，优质二极管厂家代理
信息内容：一、工控用贴片二极管参数： 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（）: 200mA 电压 - 集电极发射极击穿（）: 40V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）: 300mV @ 5mA, 50mA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) :100 @ 10mA, 1V 功率 - : 227mW 频率 - 转换; 300MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOT-923F 供应商设备封装: SOT-923F 包装: 剪切带 (CT) 二、二极管的特性曲线： 与PN结一样，二极管具有单向导电性。硅二极管典型伏安特性曲线。在二极管加有正向电压，当电压值较小时，电流极小；当电压超过0.6V时，电流开始按指数规律增大，通常称此为二极管的开启电压；当电压达到约0.7V时，二极管处于完全导通状态，通常称此电压为二极管的导通电压，用符号UD表示。对于锗二极管，开启电压为0.2V，导通电压UD约为0.3V。 在二极管加有反向电压，当电压值较小时，电流极小，其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时，电流开始急剧增大，称之为反向击穿，称此电压为二极管的反向击穿电压，用符号UBR表示。不同型号的二极管的击穿电压UBR值差别很大，从几十伏到几千伏。
