品牌/商标 | TI | 型号/规格 | THS4081ID |
封装 | SO8 | 批号 | 08+ |
类型 | 放大器 |
THS4081/82 |
DGN-8-MSOP Exp Pad Pkg |
2,500 |
集成电路 (IC) |
线性 - 放大器 - 仪表,运算放大器,缓冲放大器 |
- |
电压反馈 |
1 |
- |
230 V/µs |
- |
175MHz |
1.2µA |
1000µV |
3.4mA |
85mA |
10 V ~ 30 V, ±5 V ~ 15 V |
-40°C ~ 85°C |
表面贴装 |
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm 宽) 裸露焊盘 |
8-MSOP-PowerPad |
带卷 (TR) |
品牌/商标 TI 型号/规格 LM324 封装 SMD 批号 11+ 类型 功放IC Drivers - Display LCD DVR UNVRSL LOW-MUX数据列表LM124/224/324/2902产品相片14-SOIC标准包装2,500类别集成电路 (IC)家庭线性 - 放大器 - 仪表,运算放大器,缓冲放大器系列-放大器类型通用电路数4输出类型-转换速率0.5 V/µs增益带宽积1.2MHz-3db带宽-电流 - 输入偏压20nA电压 - 输入偏移3000µV电流 - 电源1.4mA电流 - 输出 / 通道60mA电压 - 电源,单路/双路(±)3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V工作温度0°C ~ 70°C安装类型表面贴装封装/外壳14-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)供应商设备封装14-SOIC包装带卷 (TR)
品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 NDS332P 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-P-FET锗P沟道 开启电压 4.5(V) 夹断电压 20(V) 跨导 0(μS) 极间电容 195(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 100(mA) 耗散功率 460(mW) SOT-23 12V-400V, P沟MOSFET类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C300 毫欧 @ 1.1A, 4.5V漏极至源极...