LED驱动PCA8552PW
| 价 格： | 0.40 |
| 品牌/商标 | TI | 型号/规格 | LM324 |
| 封装 | SMD | 批号 | 11+ |
| 类型 | 功放IC |
Drivers - Display LCD DVR UNVRSL LOW-MUX
| LM124/224/324/2902 |
| 14-SOIC |
| 2,500 |
| 集成电路 (IC) |
| 线性 - 放大器 - 仪表，运算放大器，缓冲放大器 |
| - |
| 通用 |
| 4 |
| - |
| 0.5 V/µs |
| 1.2MHz |
| - |
| 20nA |
| 3000µV |
| 1.4mA |
| 60mA |
| 3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V |
| 0°C ~ 70°C |
| 表面贴装 |
| 14-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 14-SOIC |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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P沟MOSF管NDS332P
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 NDS332P 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-P-FET锗P沟道 开启电压 4.5（V） 夹断电压 20（V） 跨导 0（μS） 极间电容 195（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 100（mA） 耗散功率 460（mW） SOT-23 12V-400V, P沟MOSFET类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C300 毫欧 @ 1.1A, 4.5V漏极至源极...
NTD4863NT4G
信息内容：品牌/商标 Omnirel美国 型号/规格 NTD4863NT4G 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 开启电压 25（V） 夹断电压 25（V） 漏极电流 920（mA） 数据列表NTD4863N产品相片IRFS4228TRLPBF标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C9.3 毫欧 @ 30A, 10V漏极至源极电压(Vdss)25V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.2AId 时的 Vgs(th)（）2.5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs13.5nC @ 4.5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)990pF @ 12V功率 - 1.27W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63包装带卷 (TR)供应商设备封装D-Pak
