P沟MOSF管NDS332P
| 价 格： | 0.60 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD/仙童 | 型号/规格 | NDS332P |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | CC/恒流 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | GE-P-FET锗P沟道 |
| 开启电压 | 4.5（V） | 夹断电压 | 20（V） |
| 跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 195（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 100（mA） |
| 耗散功率 | 460（mW） |
SOT-23 12V-400V, P沟MOSFET
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| - |
| MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 300 毫欧 @ 1.1A, 4.5V |
| 20V |
| 1A |
| 1V @ 250µA |
| 5nC @ 4.5V |
| 195pF @ 10V |
| 460mW |
| 表面贴装 |
| TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 孔维年
- 电话：755-83260808
- 传真：755-83260808
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NTD4863NT4G
信息内容：品牌/商标 Omnirel美国 型号/规格 NTD4863NT4G 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 开启电压 25（V） 夹断电压 25（V） 漏极电流 920（mA） 数据列表NTD4863N产品相片IRFS4228TRLPBF标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C9.3 毫欧 @ 30A, 10V漏极至源极电压(Vdss)25V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.2AId 时的 Vgs(th)（）2.5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs13.5nC @ 4.5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)990pF @ 12V功率 - 1.27W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63包装带卷 (TR)供应商设备封装D-Pak
放大三极管 2SA1298，贴片三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 2SA1298 应用范围 放大 功率特性 小功率 频率特性 低频 极性 PNP型 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 截止频率fT 1（MHz） 集电极允许电流ICM 800m（A） 集电极耗散功率PCM 200m（W） 营销方式 现货 产品性质 热销
