N沟MOSF管RFL024Z
| 价 格： | 3.00 |
| 品牌/商标 | ZET英国XETEX | 型号/规格 | IRFL024Z |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | CC/恒流 |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 55（V） | 夹断电压 | 55（V） |
| 极间电容 | 340（pF） | 漏极电流 | 510（mA） |
| 耗散功率 | 140（mW） |
| IRFL024ZPbF |
| 2,500 |
| 分离式半导体产品 |
| MOSFET，GaNFET - 单 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 57.5 毫欧 @ 3.1A, 10V |
| 55V |
| 4V @ 250µA |
| 14nC @ 10V |
| 5.1A |
| 340pF @ 25V |
| 1W |
| 表面贴装 |
| SOT-223（3 引线 + 接片），SC-73，TO-261AA |
- 所属城市：广东 深圳
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P沟MOSF管MTD2955V . ON
信息内容：品牌/商标 MOT美国摩托罗拉 型号/规格 MTD2955V 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 开启电压 60（V） 夹断电压 4（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
IRF530NPBF原装，墨西哥产地
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器 型号/规格 IRF530NPBF 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 100（V） 集电极允许电流ICM 17（A） 集电极耗散功率PCM 79（W） 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 数据列表IRF530NPbF产品相片TO-220AB PKG产品目录绘图IR Hexfet TO-220AB标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C90 毫欧 @ 9A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs37nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)920pF @ 25V功率 - 70W安装...
