IRF530NPBF原装，墨西哥产地
| 价 格： | 3.50 |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器 | 型号/规格 | IRF530NPBF |
| 应用范围 | 放大 | 材料 | 硅(Si) |
| 极性 | PNP型 | 击穿电压VCBO | 100（V） |
| 集电极允许电流ICM | 17（A） | 集电极耗散功率PCM | 79（W） |
| 结构 | 点接触型 | 封装形式 | 直插型 |
| 封装材料 | 塑料封装 |
| IRF530NPbF |
| TO-220AB PKG |
| IR Hexfet TO-220AB |
| 50 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 90 毫欧 @ 9A, 10V |
| 100V |
| 17A |
| 4V @ 250µA |
| 37nC @ 10V |
| 920pF @ 25V |
| 70W |
| 通孔 |
| TO-220-3 |
| TO-220AB |
| 管件 |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管NDT455N
信息内容：品牌/商标 ZET英国XETEX 型号/规格 NDT455N 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 30（V） 夹断电压 30（V） 极间电容 1220（pF） 漏极电流 1150（mA） 耗散功率 110（mW） 数据列表NDT455N标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C15 毫欧 @ 11.5A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30VId 时的 Vgs(th)（）3V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs61nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11.5A在 Vds 时的输入电容(Ciss)1220pF @ 15V功率 - 1.1W安装类型表面贴装封...
LDO稳压ICL1084,L1085
信息内容：品牌/商标 VIS 型号/规格 L1084,L1085 封装 TO-263 批号 08+ 类型 稳压IC
