P沟MOSF管MTD2955V . ON
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | MOT美国摩托罗拉 | 型号/规格 | MTD2955V |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 开启电压 | 60（V） |
| 夹断电压 | 4（V） | 跨导 | 0（μS） |
| 极间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 0（mA） | 耗散功率 | 0（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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IRF530NPBF原装，墨西哥产地
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器 型号/规格 IRF530NPBF 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 100（V） 集电极允许电流ICM 17（A） 集电极耗散功率PCM 79（W） 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 数据列表IRF530NPbF产品相片TO-220AB PKG产品目录绘图IR Hexfet TO-220AB标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C90 毫欧 @ 9A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs37nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)920pF @ 25V功率 - 70W安装...
N沟MOSF管NDT455N
信息内容：品牌/商标 ZET英国XETEX 型号/规格 NDT455N 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 30（V） 夹断电压 30（V） 极间电容 1220（pF） 漏极电流 1150（mA） 耗散功率 110（mW） 数据列表NDT455N标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C15 毫欧 @ 11.5A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30VId 时的 Vgs(th)（）3V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs61nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11.5A在 Vds 时的输入电容(Ciss)1220pF @ 15V功率 - 1.1W安装类型表面贴装封...
