SMD稳压二极管ES2A-ES2M
| 价 格： | 1.00 |
| 产品类型 | 稳压管 | 品牌/商标 | 国产 |
| 型号/规格 | ES2A-ES2M | 结构 | 面接触型 |
| 材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 贴片型 |
| 封装材料 | 塑料封装 | 出光面特征 | 微型管 |
| 发光强度角分布 | 标准型 | 反向电压VR | 50（V） |
| 正向直流电流IF | 2（A） |
DIODE FAST REC 2A 50V SMA
| ES2A(A) - ES2D(A) |
| DO-214AC, SMA (Unidirectional) |
| SMA Top SMA Side |
| 5,000 |
| 分离式半导体产品 |
| 单二极管/整流器 |
| - |
| 920mV @ 2A |
| 50V |
| 2A |
| 5µA @ 50V |
| 标准 |
| 快速恢复 =< 500 ns，> 200mA (Io) |
| 25ns |
| 25pF @ 4V, 1MHz |
| 表面贴装 |
| DO-214AC, SMA |
| SMA |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管RFL024Z
信息内容：品牌/商标 ZET英国XETEX 型号/规格 IRFL024Z 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 55（V） 夹断电压 55（V） 极间电容 340（pF） 漏极电流 510（mA） 耗散功率 140（mW） 数据列表IRFL024ZPbF标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C57.5 毫欧 @ 3.1A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55VId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V电流 - 连续漏极(...
P沟MOSF管MTD2955V . ON
信息内容：品牌/商标 MOT美国摩托罗拉 型号/规格 MTD2955V 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 开启电压 60（V） 夹断电压 4（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
