2SC2411放大三极管 SOT-23
| 价 格： | 0.80 |
| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | 2SC2411 |
| 应用范围 | 放大 | 极性 | NPN型 |
| 击穿电压VCBO | 32（V） | 截止频率fT | 250（MHz） |
| 结构 | 面接触型 | 封装形式 | 贴片型 |
| 封装材料 | 塑料封装 |
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SMD稳压二极管ES2A-ES2M
信息内容：产品类型 稳压管 品牌/商标 国产 型号/规格 ES2A-ES2M 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 出光面特征 微型管 发光强度角分布 标准型 反向电压VR 50（V） 正向直流电流IF 2（A） DIODE FAST REC 2A 50V SMA数据列表ES2A(A) - ES2D(A)产品相片DO-214AC, SMA (Unidirectional)其它图纸SMA TopSMA Side标准包装5,000类别分离式半导体产品家庭单二极管/整流器系列-电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（）920mV @ 2A电压 - (Vr)（）50V电流 - 平均整流 (Io)2A电流 - 在 Vr 时反向漏电5µA @ 50V二极管型标准速度快速恢复 =< 500 ns，> 200mA (Io)反向恢复时间(trr)25ns电容@ Vr, F25pF @ 4V, 1MHz安装类型表面贴装封装/外...
N沟MOSF管RFL024Z
信息内容：品牌/商标 ZET英国XETEX 型号/规格 IRFL024Z 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 55（V） 夹断电压 55（V） 极间电容 340（pF） 漏极电流 510（mA） 耗散功率 140（mW） 数据列表IRFL024ZPbF标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C57.5 毫欧 @ 3.1A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55VId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs14nC @ 10V电流 - 连续漏极(...
