N沟MOSF管IRL1104S
| 价 格： | 8.00 |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRL1104S |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 10（V） |
| 夹断电压 | 40（V） | 跨导 | 0（μS） |
| 极间电容 | 3445（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 1040（mA） | 耗散功率 | 2400（mW） |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 8 毫欧 @ 62A, 10V |
| 40V |
| 104A |
| 1V @ 250µA |
| 68nC @ 4.5V |
| 3445pF @ 25V |
| 2.4W |
| 表面贴装 |
| TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
| 管件 |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 孔维年
- 电话：755-83260808
- 传真：755-83260808
- 手机：
- QQ ：
放大三极管BCW66H，欢迎来电
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 BCW66H 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 45（V） 集电极允许电流ICM 1（A） 截止频率fT 100（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NA TRANSISTOR PNP 32V 100MA SST3 TR数据列表BCW6(5,6)产品相片SOT-23-3产品目录绘图SOT-23 PackageSOT-23 Top标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)（）800mA电压 - 集电极发射极击穿（）45VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）700mV @ 50mA, 500mA电流 - 集电极截止（）20nA在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)250 @ 100mA, 1V功率 - 330mW频率 - 转换100MHz安装类型表面贴装封装/外壳TO-...
IRF520N原装。中国产地
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器 型号/规格 IRF520N 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 N/P型 击穿电压VCBO 100（V） 集电极允许电流ICM 9.7（A） 集电极耗散功率PCM 48（W） 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装
