IRF520N原装。中国产地
| 价 格： | 4.50 |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器 | 型号/规格 | IRF520N |
| 应用范围 | 放大 | 材料 | 硅(Si) |
| 极性 | N/P型 | 击穿电压VCBO | 100（V） |
| 集电极允许电流ICM | 9.7（A） | 集电极耗散功率PCM | 48（W） |
| 结构 | 点接触型 | 封装形式 | 直插型 |
| 封装材料 | 塑料封装 |
- 所属城市：广东 深圳
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P沟MOSF管RFR5305
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFR5305 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 开启电压 55（V） 夹断电压 4（V） TO-252(D-PARK) 12V-400V, P沟MOSFET数据列表IRFR5305PbF, IRFU5305PbF产品相片TO-252-2标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C65 毫欧 @ 16A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C31AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1200pF @ 25V功率 - 110W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
C945 放大三极管，欢迎来电
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 C945 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 45（V） 截止频率fT 100（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NA TRANSISTOR NPN 50V 150MA数据列表MPSA18产品相片TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead产品目录绘图Transistor TO-92 Package标准包装2,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)（）100mA电压 - 集电极发射极击穿（）45VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）300mV @ 5mA, 50mA电流 - 集电极截止（）-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)500 @ 10mA, 5V功率 - 625mW频率 - 转换100MHz安装类型通孔封装/外壳TO-92-3（标准主体），TO-226供应商设备封装TO-92-3包装散装
