放大三极管BCW66H，欢迎来电
| 价 格： | 0.60 |
| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | BCW66H |
| 应用范围 | 放大 | 材料 | 硅(Si) |
| 极性 | NPN型 | 击穿电压VCBO | 45（V） |
| 集电极允许电流ICM | 1（A） | 截止频率fT | 100（MHz） |
| 结构 | 面接触型 | 封装形式 | 贴片型 |
| 封装材料 | 塑料封装 |
NA TRANSISTOR PNP 32V 100MA SST3 TR
| BCW6(5,6) |
| SOT-23-3 |
| SOT-23 Package SOT-23 Top |
| 3,000 |
| 分离式半导体产品 |
| 晶体管(BJT) - 单路 |
| - |
| NPN |
| 800mA |
| 45V |
| 700mV @ 50mA, 500mA |
| 20nA |
| 250 @ 100mA, 1V |
| 330mW |
| 100MHz |
| 表面贴装 |
| TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| SOT-23-3 |
- 所属城市：广东 深圳
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IRF520N原装。中国产地
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器 型号/规格 IRF520N 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 N/P型 击穿电压VCBO 100（V） 集电极允许电流ICM 9.7（A） 集电极耗散功率PCM 48（W） 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装
P沟MOSF管RFR5305
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFR5305 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 开启电压 55（V） 夹断电压 4（V） TO-252(D-PARK) 12V-400V, P沟MOSFET数据列表IRFR5305PbF, IRFU5305PbF产品相片TO-252-2标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C65 毫欧 @ 16A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C31AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1200pF @ 25V功率 - 110W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
