S9015. SOT-23 .TO-92放大三极管
| 价 格： | 0.10 |
| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | S9015 |
| 应用范围 | 放大 | 材料 | 硅(Si) |
| 极性 | PNP型 | 击穿电压VCBO | 45（V） |
| 结构 | 面接触型 | 封装形式 | 贴片型 |
| 封装材料 | 塑料封装 |
NA TRANS HP NPN 400
| SS9015 |
| TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead |
| Fe Wire Change 12/Oct/2007 |
| 1,000 |
| 分离式半导体产品 |
| 晶体管(BJT) - 单路 |
| - |
| PNP |
| 100mA |
| 45V |
| 700mV @ 5mA, 100mA |
| - |
| 100 @ 1mA, 5V |
| 450mW |
| 190MHz |
| 通孔 |
| TO-92-3（标准主体），TO-226 |
| TO-92-3 |
V 225MA SOT23-3
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRL1104S
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRL1104S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 10（V） 夹断电压 40（V） 跨导 0（μS） 极间电容 3445（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 1040（mA） 耗散功率 2400（mW） TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C8 毫欧 @ 62A, 10V漏极至源极电压(Vdss)40V电流 - 连续漏极(Id) @ 25°...
放大三极管BCW66H，欢迎来电
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 BCW66H 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 45（V） 集电极允许电流ICM 1（A） 截止频率fT 100（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NA TRANSISTOR PNP 32V 100MA SST3 TR数据列表BCW6(5,6)产品相片SOT-23-3产品目录绘图SOT-23 PackageSOT-23 Top标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)（）800mA电压 - 集电极发射极击穿（）45VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）700mV @ 50mA, 500mA电流 - 集电极截止（）20nA在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)250 @ 100mA, 1V功率 - 330mW频率 - 转换100MHz安装类型表面贴装封装/外壳TO-...
