N沟MOSF管IRFR2307Z
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFR2307Z |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 开启电压 | 75（V） |
| 夹断电压 | 4（V） |
TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET
| IRFR2307ZPbF, IRFU2307ZPbF |
| TO-252-2 |
| 3,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 16 毫欧 @ 32A, 10V |
| 75V |
| 42A |
| 4V @ 100µA |
| 75nC @ 10V |
| 2190pF @ 25V |
| 110W |
| 表面贴装 |
| TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
- 所属城市：广东 深圳
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SMD稳压二极管S2A-S2M
信息内容：产品类型 稳压管 品牌/商标 国产 型号/规格 S2A-S2M 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 出光面特征 微型管 发光强度角分布 标准型 反向电压VR 50（V） 正向直流电流IF 1.5（A） Rectifier - Standard 2.0A 400V数据列表S2A-S2M, S2AA-S2MA产品相片31-SMB, DO214AA其它图纸SMB Series TopSMB Series Side标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭单二极管/整流器系列-电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（）1.15V @ 1.5A电压 - (Vr)（）50V电流 - 平均整流 (Io)1.5A电流 - 在 Vr 时反向漏电5µA @ 50V二极管型标准速度标准恢复 >500ns，> 200mA (Io)反向恢复时间(trr)-电容@ Vr, F20pF @ 4V, 1MHz安装类型表面贴装封装...
N沟MOSF管IRL3302S
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRL3302S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 AM/调幅 封装外形 SMD(SO)/表面封装 开启电压 7（V） 夹断电压 20（V） 跨导 0（μS） 极间电容 1300（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 390（mA） 耗散功率 5700（mW） TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 23A, 7V漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C39AI...
