N沟MOSF管IRL3302S
| 价 格： | 3.00 |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRL3302S |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | AM/调幅 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 开启电压 | 7（V） |
| 夹断电压 | 20（V） | 跨导 | 0（μS） |
| 极间电容 | 1300（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 390（mA） | 耗散功率 | 5700（mW） |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 20 毫欧 @ 23A, 7V |
| 20V |
| 39A |
| 700mV @ 250µA |
| 31nC @ 4.5V |
| 1300pF @ 15V |
| 57W |
| 表面贴装 |
| TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
- 所属城市：广东 深圳
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FQPF2N70 原装，TO-220韩国产地，FAIRCHILD
信息内容：品牌/商标 FairChild仙童 型号/规格 FQPF2N70 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 10（V） 集电极允许电流ICM 1（A） 集电极耗散功率PCM 28（W） 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 数据列表FQPF2N70产品相片TO-220AB产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列QFET™FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C6.3 欧姆 @ 1A, 10V漏极至源极电压(Vdss)700V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2AId 时的 Vgs(th)（）5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs11nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)350pF @ 25V功率 - ...
AD627ARZ.8-SOIC集成电路IC
信息内容：品牌/商标 ANALOGIC 型号/规格 AD627ARZ 封装 8-SOIC 批号 2010 类型 放大器
