SMD稳压二极管S2A-S2M
| 价 格： | 0.60 |
| 产品类型 | 稳压管 | 品牌/商标 | 国产 |
| 型号/规格 | S2A-S2M | 结构 | 面接触型 |
| 材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 贴片型 |
| 封装材料 | 塑料封装 | 出光面特征 | 微型管 |
| 发光强度角分布 | 标准型 | 反向电压VR | 50（V） |
| 正向直流电流IF | 1.5（A） |
Rectifier - Standard 2.0A 400V
| S2A-S2M, S2AA-S2MA |
| 31-SMB, DO214AA |
| SMB Series Top SMB Series Side |
| 3,000 |
| 分离式半导体产品 |
| 单二极管/整流器 |
| - |
| 1.15V @ 1.5A |
| 50V |
| 1.5A |
| 5µA @ 50V |
| 标准 |
| 标准恢复 >500ns，> 200mA (Io) |
| - |
| 20pF @ 4V, 1MHz |
| 表面贴装 |
| DO-214AA, SMB |
| SMB |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 孔维年
- 电话：755-83260808
- 传真：755-83260808
- 手机：
- QQ ：
N沟MOSF管IRL3302S
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRL3302S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 AM/调幅 封装外形 SMD(SO)/表面封装 开启电压 7（V） 夹断电压 20（V） 跨导 0（μS） 极间电容 1300（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 390（mA） 耗散功率 5700（mW） TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C20 毫欧 @ 23A, 7V漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C39AI...
FQPF2N70 原装，TO-220韩国产地，FAIRCHILD
信息内容：品牌/商标 FairChild仙童 型号/规格 FQPF2N70 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 10（V） 集电极允许电流ICM 1（A） 集电极耗散功率PCM 28（W） 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 数据列表FQPF2N70产品相片TO-220AB产品培训模块High Voltage Switches for Power Processing标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列QFET™FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C6.3 欧姆 @ 1A, 10V漏极至源极电压(Vdss)700V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C2AId 时的 Vgs(th)（）5V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs11nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)350pF @ 25V功率 - ...
