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N沟MOSF管SI4936ADY

价 格: 0.60

品牌/商标 其他 型号/规格 SI4936ADY
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装
材料 N-FET硅N沟道 开启电压 30(V)
夹断电压 3(V) 跨导 0(μS)
极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB)
漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW)

深圳市钜腾电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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N沟MOSF管IRFR2307Z

信息内容:

品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFR2307Z 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 开启电压 75(V) 夹断电压 4(V) TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET数据列表IRFR2307ZPbF, IRFU2307ZPbF产品相片TO-252-2标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C16 毫欧 @ 32A, 10V漏极至源极电压(Vdss)75V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C42AId 时的 Vgs(th)()4V @ 100µA闸电荷(Qg) @ Vgs75nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)2190pF @ 25V功率 - 110W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63

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SMD稳压二极管S2A-S2M

信息内容:

产品类型 稳压管 品牌/商标 国产 型号/规格 S2A-S2M 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 出光面特征 微型管 发光强度角分布 标准型 反向电压VR 50(V) 正向直流电流IF 1.5(A) Rectifier - Standard 2.0A 400V数据列表S2A-S2M, S2AA-S2MA产品相片31-SMB, DO214AA其它图纸SMB Series TopSMB Series Side标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭单二极管/整流器系列-电压 - 在 If 时为正向 (Vf)()1.15V @ 1.5A电压 - (Vr)()50V电流 - 平均整流 (Io)1.5A电流 - 在 Vr 时反向漏电5µA @ 50V二极管型标准速度标准恢复 >500ns,> 200mA (Io)反向恢复时间(trr)-电容@ Vr, F20pF @ 4V, 1MHz安装类型表面贴装封装...

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