N沟MOSF管IRF840AS
| 价 格： | 10.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRF840AS |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 开启电压 | 500（V） |
| 夹断电压 | 500（V） | 极间电容 | 1018（pF） |
| 漏极电流 | 800（mA） | 耗散功率 | 3100（mW） |
| IRF840ASPBF, ALPBF |
| D2PAK, TO-263 (2 leads + tab) |
| 1,000 |
| 分离式半导体产品 |
| MOSFET，GaNFET - 单 |
| - |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 850 毫欧 @ 4.8A, 10V |
| 500V |
| 4V @ 250µA |
| 38nC @ 10V |
| 8A |
| 1018pF @ 25V |
| 3.1W |
| 表面贴装 |
| D²Pak，TO-263（2 引线 + 接片） |
| 管件 |
| *IRF840ASPBF |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管SI4936ADY
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 SI4936ADY 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 30（V） 夹断电压 3（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
N沟MOSF管IRFR2307Z
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFR2307Z 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 开启电压 75（V） 夹断电压 4（V） TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET数据列表IRFR2307ZPbF, IRFU2307ZPbF产品相片TO-252-2标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C16 毫欧 @ 32A, 10V漏极至源极电压(Vdss)75V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C42AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 100µA闸电荷(Qg) @ Vgs75nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)2190pF @ 25V功率 - 110W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63
