品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | FMMT491 |
应用范围 | 放大 | 材料 | 硅(Si) |
极性 | NPN型 | 击穿电压VCBO | 40(V) |
集电极允许电流ICM | 1(A) | 截止频率fT | 150(MHz) |
结构 | 面接触型 | 封装形式 | 贴片型 |
封装材料 | 塑料封装 |
NA TRANS HP NPN 400V 225MA SOT23-3
FMMT491A |
SOT-23-3 |
SOT-23 Package SOT-23 Top |
3,000 |
分离式半导体产品 |
晶体管(BJT) - 单路 |
- |
NPN |
1A |
40V |
500mV @ 100mA, 1A |
100nA |
300 @ 500mA, 5V |
500mW |
150MHz |
表面贴装 |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
SOT-23-3 |
带卷 (TR) |
品牌/商标 其他 型号/规格 IRF840AS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 开启电压 500(V) 夹断电压 500(V) 极间电容 1018(pF) 漏极电流 800(mA) 耗散功率 3100(mW) 数据列表IRF840ASPBF, ALPBF产品相片D2PAK, TO-263 (2 leads + tab)标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C850 毫欧 @ 4.8A, 10V漏极至源极电压(Vdss)500VId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A在 Vds 时的输入电容(Ciss)1018pF @ 25V功率 - 3.1W安装类型表面贴装封装/外壳D²Pak,TO-263(2 引线 + 接片)包装管件其它名称*IRF8...
品牌/商标 其他 型号/规格 SI4936ADY 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 30(V) 夹断电压 3(V) 跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW)