品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFR9110 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 开启电压 | 100(V) |
夹断电压 | 10(V) | 跨导 | 0(μS) |
极间电容 | 0(pF) | 低频噪声系数 | 0(dB) |
漏极电流 | 0(mA) | 耗散功率 | 0(mW) |
品牌/商标 国产 型号/规格 FMMT491 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 40(V) 集电极允许电流ICM 1(A) 截止频率fT 150(MHz) 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NA TRANS HP NPN 400V 225MA SOT23-3数据列表FMMT491A产品相片SOT-23-3产品目录绘图SOT-23 PackageSOT-23 Top标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)()1A电压 - 集电极发射极击穿()40VIb、Ic条件下的Vce饱和度()500mV @ 100mA, 1A电流 - 集电极截止()100nA在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)300 @ 500mA, 5V功率 - 500mW频率 - 转换150MHz安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3...
品牌/商标 其他 型号/规格 IRF840AS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 开启电压 500(V) 夹断电压 500(V) 极间电容 1018(pF) 漏极电流 800(mA) 耗散功率 3100(mW) 数据列表IRF840ASPBF, ALPBF产品相片D2PAK, TO-263 (2 leads + tab)标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C850 毫欧 @ 4.8A, 10V漏极至源极电压(Vdss)500VId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs38nC @ 10V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8A在 Vds 时的输入电容(Ciss)1018pF @ 25V功率 - 3.1W安装类型表面贴装封装/外壳D²Pak,TO-263(2 引线 + 接片)包装管件其它名称*IRF8...