桥堆DB102S，整流桥堆
| 价 格： | 1.00 |
| 产品类型 | 整流桥、高压硅 | 品牌/商标 | 国产 |
| 型号/规格 | DB102S | 结构 | 点接触型 |
| 材料 | 其他 | 封装材料 | 塑料封装 |
| 功率特性 | 大功率 | 频率特性 | 高频 |
| 发光颜色 | 电压控制 | LED封装 | 无色透明(T) |
| 出光面特征 | 方灯 | 发光强度角分布 | 标准型 |
| 反向电压VR | 100（V） | 正向直流电流IF | 1（A） |
Rectifiers - Bridge 1.0A 50V
| DB101-107 |
| DB-1 Pkg |
| Diode Handling and Mounting |
| DB-1 Series Top DB-1 Series Side 2 DB-1 Series Side 1 |
| 2,500 |
| 分离式半导体产品 |
| 桥式整流器 |
| - |
| 100V |
| 1A |
| 单相 |
| 标准恢复 >500ns，> 200mA (Io) |
| - |
| 通孔 |
| DB-1 |
| 管件 |
| DB-1 |
| 1579 (CN2010-11 Interactive) 1579 (CN2010-11 PDF) |
| DB102-BPMS |
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 孔维年
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稳压二极管MMBZ5221B-MMBZ5259B
信息内容：产品类型 稳压管 品牌/商标 国产 型号/规格 MMBZ5221B-MMBZ5259B 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 功率特性 中功率 频率特性 高频 出光面特征 微型管 发光强度角分布 标准型 反向电压VR 2.4（V） 正向直流电流IF 0（A）
N沟MOSF管IRFZ44NS
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRFZ44NS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 开启电压 55（V） 夹断电压 4（V） TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRFZ44NSPbF, IRFZ44NLPbF产品相片D2PAK, TO-263标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C17.5 毫欧 @ 25A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C49AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1470pF @ 25V功率 - 3.8W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
