产品类型 | 稳压管 | 品牌/商标 | 国产 |
型号/规格 | MMBZ5221B-MMBZ5259B | 结构 | 点接触型 |
材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 贴片型 |
封装材料 | 塑料封装 | 功率特性 | 中功率 |
频率特性 | 高频 | 出光面特征 | 微型管 |
发光强度角分布 | 标准型 | 反向电压VR | 2.4(V) |
正向直流电流IF | 0(A) |
品牌/商标 其他 型号/规格 IRFZ44NS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 开启电压 55(V) 夹断电压 4(V) TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRFZ44NSPbF, IRFZ44NLPbF产品相片D2PAK, TO-263标准包装50类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C17.5 毫欧 @ 25A, 10V漏极至源极电压(Vdss)55V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C49AId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs63nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)1470pF @ 25V功率 - 3.8W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
品牌/商标 国产 型号/规格 MMDT4401 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 40(V) 集电极允许电流ICM 0(A) 集电极耗散功率PCM 0(W) 截止频率fT 250(MHz) 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装