N沟MOSF管IRFZ44NS
| 价 格： | 6.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRFZ44NS |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 开启电压 | 55（V） |
| 夹断电压 | 4（V） |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET
| IRFZ44NSPbF, IRFZ44NLPbF |
| D2PAK, TO-263 |
| 50 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 17.5 毫欧 @ 25A, 10V |
| 55V |
| 49A |
| 4V @ 250µA |
| 63nC @ 10V |
| 1470pF @ 25V |
| 3.8W |
| 表面贴装 |
| TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
- 所属城市：广东 深圳
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放大三极管 MMDT4401，贴片放大三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 MMDT4401 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 40（V） 集电极允许电流ICM 0（A） 集电极耗散功率PCM 0（W） 截止频率fT 250（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装
放大三极管MMBT3904 ，贴片放大三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 MMBT3904 应用范围 放大 击穿电压VCBO 40（V） 截止频率fT 300（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 数据列表MMBT3904LT1,3产品相片SOT-23-3产品变化通告Wire Change 08/May/2007Possible Adhesion Issue 11/July/2008产品目录绘图Transistor SOT-23-3 Pkg标准包装10,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)（）200mA电压 - 集电极发射极击穿（）40VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）300mV @ 5mA, 50mA电流 - 集电极截止（）-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 10mA, 1V功率 - 225mW频率 - 转换300MHz安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3, SC-59, SOT-23-3供应商设备封装SOT-23-3包装带卷 (TR)
