2SA1162 放大三极管
| 价 格： | 0.60 |
| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | 2SA1162 |
| 应用范围 | 放大 | 材料 | 硅(Si) |
| 极性 | PNP型 | 击穿电压VCBO | 50（V） |
| 截止频率fT | 80（MHz） | 结构 | 面接触型 |
| 封装形式 | 贴片型 | 封装材料 | 塑料封装 |
- 所属城市：广东 深圳
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P沟MOSF管SI4953
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 SI4953 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 30（V） 夹断电压 10（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
功率三极管 IRF530PBF原装
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器 型号/规格 IRF530PBF 应用范围 功率 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 100（V） 集电极允许电流ICM 14（A） 集电极耗散功率PCM 88（W） 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 陶瓷封装 数据列表IRF530PBF产品相片TO-220AB PKG产品目录绘图IR(F,L)x Series Side 1IR(F,L)x Series Side 2标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C160 毫欧 @ 8.4A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)670pF @ 2...
