价 格: | 面议 | |
是否提供加工定制: | 否 | |
品牌/商标: | 国产 | |
型号/规格: | 3DD11F-T | |
应用范围: | 功率 | |
材料: | 硅(Si) | |
极性: | NPN型 | |
击穿电压VCBO: | 50(V) | |
集电极允许电流ICM: | 50(A) | |
集电极耗散功率PCM: | 50(W) | |
截止频率fT: | 50(MHz) | |
结构: | 点接触型 | |
封装形式: | 直插型 | |
封装材料: | 金属封装 |
特点:产品采用三重扩散工艺,抗烧毁能力强,二次击穿耐量高,温度稳定性好,抗热疲劳能力强.应用范围:低速开关,低频功率放大,电源高速.使用温度:-55±3℃~175±3℃!
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"特点:采用三重扩散工艺,抗烧毁能力强,二次击穿耐量高,温度稳定性好,抗热疲劳强。应用范围:低俗开关,低频功率放大,电源调整。质量等级:普军执行标准:QZJ840611销售热线029-85268471 13186193898 商务QQ:381770981 543615622 骊创三极管,军工质量,价格优惠,电子配套,具有十多年的配套销售经验,并被国内数十家军工制造厂定为合格供应商.公司备有大量现货库存,交货及时。 外形封装F-4,G-4型铜座 放大倍数红橙黄绿蓝集电极-发射极电压VCEOA档50V B档100V C档150V D档200V E档250V F档300V G档400V H档500V I档600V放大倍数HEF:棕点7-15倍 红点15-25倍 橙点25-40倍 黄点40-55倍 绿点55-80倍 蓝点80-120倍"
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