品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | SI4953 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
材料 | P-FET硅P沟道 | 开启电压 | 30(V) |
夹断电压 | 10(V) | 跨导 | 0(μS) |
极间电容 | 0(pF) | 低频噪声系数 | 0(dB) |
漏极电流 | 0(mA) | 耗散功率 | 0(mW) |
品牌/商标 IR美国国际整流器 型号/规格 IRF530PBF 应用范围 功率 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 100(V) 集电极允许电流ICM 14(A) 集电极耗散功率PCM 88(W) 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 陶瓷封装 数据列表IRF530PBF产品相片TO-220AB PKG产品目录绘图IR(F,L)x Series Side 1IR(F,L)x Series Side 2标准包装1,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C160 毫欧 @ 8.4A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C14AId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs26nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)670pF @ 2...
品牌/商标 国产 型号/规格 MMBTA06 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 80(V) 截止频率fT 100(MHz) 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 数据列表MPSA06, MMBTA06, PZTA06产品相片SOT-23-3产品变化通告Mold Compound Change 12/Dec/2007产品目录绘图Transistor SOT-23-3 Package标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)()500mA电压 - 集电极发射极击穿()80VIb、Ic条件下的Vce饱和度()250mV @ 10mA, 100mA电流 - 集电极截止()100nA在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 100mA, 1V功率 - 350mW频率 - 转换100MHz安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3, SC-59, SOT-23-3供应商设备封装SOT-23包装带...