品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | DTA113 |
应用范围 | 带阻尼 | 材料 | 硅(Si) |
极性 | NPN型 | 击穿电压VCBO | 30(V) |
结构 | 面接触型 | 封装形式 | 贴片型 |
封装材料 | 塑料封装 |
TRAN DIGITL PNP 50V 30MA SOT-346
PDTA113E Series |
EMT3(SOT-416,SC-75)SOT416 |
3,000 |
分离式半导体产品 |
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式 |
- |
PNP - 预偏压 |
100mA |
50V |
1K |
1K |
30 @ 40mA, 5V |
150mV @ 1.5mA, 30mA |
1µA |
- |
150mW |
表面贴装 |
SC-75, SOT-416 |
SOT-416 |
带卷 (TR |
产品类型 稳压管 品牌/商标 国产 型号/规格 BZT52C2V4-BZT52C75 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 功率特性 小功率 频率特性 中频 出光面特征 微型管 发光强度角分布 标准型 反向电压VR 2.4(V) 正向直流电流IF 0(A) 数据列表BZT52CV0 - BZT52C39产品相片SOD-123产品变化通告Wire Change 16/Sept/2008Encapsulate Change 29/Aug/2008产品目录绘图SOD-123 500mW Side 2SOD-123 500mW TopSOD-123 500mW Side 1标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭单二极管/齐纳系列-电压 - 齐纳(标称)(Vz)2.4V电压 - 在 If 时为正向 (Vf)()900mV @ 10mA...
品牌/商标 其他 型号/规格 IRFR9014 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 50(V) 夹断电压 10(V) TO-252(D-PARK) 12V-400V, P沟MOSFET数据列表IRFR9014, IRFU9014产品相片TO-252-2标准包装2,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C500 毫欧 @ 3.1A, 10V漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.1AId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs12nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)270pF @ 25V功率 - 2.5W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63包装带卷 (TR)供应商设备封装D-Pak