稳压二极管BZT52C2V4-BZT52C75
| 价 格： | 0.15 |
| 产品类型 | 稳压管 | 品牌/商标 | 国产 |
| 型号/规格 | BZT52C2V4-BZT52C75 | 结构 | 点接触型 |
| 材料 | 硅(Si) | 封装形式 | 贴片型 |
| 封装材料 | 塑料封装 | 功率特性 | 小功率 |
| 频率特性 | 中频 | 出光面特征 | 微型管 |
| 发光强度角分布 | 标准型 | 反向电压VR | 2.4（V） |
| 正向直流电流IF | 0（A） |
| BZT52CV0 - BZT52C39 |
| SOD-123 |
| Wire Change 16/Sept/2008 Encapsulate Change 29/Aug/2008 |
| SOD-123 500mW Side 2 SOD-123 500mW Top SOD-123 500mW Side 1 |
| 3,000 |
| 分离式半导体产品 |
| 单二极管/齐纳 |
| - |
| 2.4V |
| 900mV @ 10mA |
| 50µA @ 1V |
| ±8.33% |
| 500mW |
| 100 欧姆 |
| 表面贴装 |
| SOD-123 |
| SOD-123 |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 孔维年
- 电话：755-83260808
- 传真：755-83260808
- 手机：
- QQ ：
P沟MOSF管RFR9014
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRFR9014 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 50（V） 夹断电压 10（V） TO-252(D-PARK) 12V-400V, P沟MOSFET数据列表IRFR9014, IRFU9014产品相片TO-252-2标准包装2,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C500 毫欧 @ 3.1A, 10V漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.1AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs12nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)270pF @ 25V功率 - 2.5W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63包装带卷 (TR)供应商设备封装D-Pak
2SC2412放大三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 2SC2412 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 50（V） 截止频率fT 180（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NA Transistors PNP 32V 0.8A数据列表2SC2412K(4081/4617/5658/1740S)产品相片SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236产品目录绘图SOT-346 Package Top标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)（）150mA电压 - 集电极发射极击穿（）50VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）400mV @ 5mA, 50mA电流 - 集电极截止（）-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)180 @ 1mA, 6V功率 - 200mW频率 - 转换180MHz安装类型表面贴装封装/外壳SC-59-3，SMT3，SOT-346，TO-236供应商设备封装SMT3包装带...
