P沟MOSF管RFR9014
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRFR9014 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | P-FET硅P沟道 | 开启电压 | 50（V） |
| 夹断电压 | 10（V） |
TO-252(D-PARK) 12V-400V, P沟MOSFET
| IRFR9014, IRFU9014 |
| TO-252-2 |
| 2,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| - |
| MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 500 毫欧 @ 3.1A, 10V |
| 60V |
| 5.1A |
| 4V @ 250µA |
| 12nC @ 10V |
| 270pF @ 25V |
| 2.5W |
| 表面贴装 |
| TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
| 带卷 (TR) |
| D-Pak |
- 所属城市：广东 深圳
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2SC2412放大三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 2SC2412 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 50（V） 截止频率fT 180（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NA Transistors PNP 32V 0.8A数据列表2SC2412K(4081/4617/5658/1740S)产品相片SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236产品目录绘图SOT-346 Package Top标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)（）150mA电压 - 集电极发射极击穿（）50VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）400mV @ 5mA, 50mA电流 - 集电极截止（）-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)180 @ 1mA, 6V功率 - 200mW频率 - 转换180MHz安装类型表面贴装封装/外壳SC-59-3，SMT3，SOT-346，TO-236供应商设备封装SMT3包装带...
2SA1037 Transistors PNP 3
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 2SA1037 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 50（V） 截止频率fT 140（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NATransistors PNP 32V 0.5A数据列表2SA1037AK(1576A/1774/2029/933AS)产品相片SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236产品目录绘图SOT-346 Package Top标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)（）150mA电压 - 集电极发射极击穿（）50VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）500mV @ 5mA, 50mA电流 - 集电极截止（）-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)120 @ 1mA, 6V功率 - 200mW频率 - 转换140MHz安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3, SC-59, SOT-23-3供应商设备封装3-SMT包装带卷 (TR)
