4电压比较器LM339
| 价 格： | 0.33 |
| 品牌/商标 | 科威 | 型号/规格 | LM339 |
| 批号 | 09009 | 封装 | DIP-14 SOP-14 |
| 营销方式 | 现货 | 产品性质 | 热销 |
| 处理信号 | 模拟信号 | 制作工艺 | 半导体集成 |
| 导电类型 | 双极型 | 集成程度 | 小规模 |
| 规格尺寸 | 原工厂规格（mm） | 工作温度 | -40~125（℃） |
| 静态功耗 | 0.1（mW） | 类型 | 音响IC |
- 所属城市：广东 深圳
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场效应管HX2N60C(TO-251,252)
信息内容：品牌/商标 HX(环鑫) 型号/规格 HX2N60C(TO-251,252) 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.1（V） 夹断电压 0.1（V） 低频跨导 0.1（μS） 极间电容 0.1（pF） 低频噪声系数 0.1（dB） 漏极电流 0.1（mA） 耗散功率 0.1（mW） 现货长期供应(全新)场效应管HX2N60C(TO-251,252)质量保证.现货,有实力的公司可以月结.欢迎来电HX2N60 TO-251/TO-252 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导...
场效应管HX2N60(TO-220,TO-220F
信息内容：品牌/商标 HX(环鑫) 型号/规格 HX2N60(TO-220,TO-220F) 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.1（V） 夹断电压 0.1（V） 极间电容 0.1（pF） 低频噪声系数 0.1（dB） 漏极电流 0.1（mA） 耗散功率 0.1（mW） 现货长期供应全新场效应管HX2N60(TO-220,TO-220F质量保证.现货,有实力的公司可以月结HX2N60 TO-220/TO-22F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品...
