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场效应管HX2N60(TO-220,TO-220F

价 格: 0.90

品牌/商标 HX(环鑫) 型号/规格 HX2N60(TO-220,TO-220F)
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插
材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.1(V)
夹断电压 0.1(V) 极间电容 0.1(pF)
低频噪声系数 0.1(dB) 漏极电流 0.1(mA)
耗散功率 0.1(mW)

现货长期供应全新场效应管HX2N60(TO-220,TO-220F质量保证.现货,有实力的公司可以月结

HX2N60 TO-220/TO-22F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。

∗ 2A,600V,RDS(on)=0.5Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快




蒋德平
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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