场效应管HX2N60C(TO-251,252)
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | HX(环鑫) | 型号/规格 | HX2N60C(TO-251,252) |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 0.1（V） |
| 夹断电压 | 0.1（V） | 低频跨导 | 0.1（μS） |
| 极间电容 | 0.1（pF） | 低频噪声系数 | 0.1（dB） |
| 漏极电流 | 0.1（mA） | 耗散功率 | 0.1（mW） |
现货长期供应(全新)场效应管HX2N60C(TO-251,252)质量保证.现货,有实力的公司可以月结.欢迎来电
HX2N60 TO-251/TO-252 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
∗ 2A，600V，RDS(on)=5.0Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 蒋德平
- 电话：0755-89516539
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场效应管HX2N60(TO-220,TO-220F
信息内容：品牌/商标 HX(环鑫) 型号/规格 HX2N60(TO-220,TO-220F) 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.1（V） 夹断电压 0.1（V） 极间电容 0.1（pF） 低频噪声系数 0.1（dB） 漏极电流 0.1（mA） 耗散功率 0.1（mW） 现货长期供应全新场效应管HX2N60(TO-220,TO-220F质量保证.现货,有实力的公司可以月结HX2N60 TO-220/TO-22F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品...
稳压二极管15V0.5w 贴片(圆柱)
信息内容：品牌/商标 进口芯片 型号/规格 15V 产品类型 稳压管 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 LL-34 封装材料 玻璃封装 功率特性 小功率 频率特性 中频 发光颜色 橙色 LED封装 加色散射封装(D) 出光面特征 方形 发光强度角分布 散射型 正向直流电流IF 0.1（A） 反向电压 0.1（V） Zener Diodes (Surface Mount Device)供应全系列稳压二极管 (贴片)Watts: 100mW-5.0W封装: SOD-523, SOD-323, SOT-323, SOD-123, SOT-23, MINI-MELF, SMA, SMB, SMC保证无铅制程, 产品皆经过多样信赖性试验, 请相信我们的品质...
