N沟MOSF管IRF7413
| 价 格： | 5.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRF7413 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 30（V） |
| 夹断电压 | 4.5（V） | 跨导 | 0（μS） |
| 极间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 0（mA） | 耗散功率 | 0（mW） |
| IRF7413ZPbF |
| 8-SOIC |
| IR Hexfet 8-SOIC |
| 1 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 10 毫欧 @ 13A, 10V |
| 30V |
| 13A |
| 2.25V @ 25µA |
| 14nC @ 4.5V |
| 1210pF @ 15V |
| 2.5W |
| 表面贴装 |
| 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 剪切带 (CT) |
- 所属城市：广东 深圳
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DTA113.SOT-416带阻尼三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 DTA113 应用范围 带阻尼 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 30（V） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 TRAN DIGITL PNP 50V 30MA SOT-346数据列表PDTA113E Series产品相片EMT3(SOT-416,SC-75)SOT416标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式系列-晶体管类型PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（）100mA电压 - 集电极发射极击穿（）50V电阻器 - 基极 (R1)（欧）1K电阻器 - 发射极 (R2)（欧）1K在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 40mA, 5VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）150mV @ 1.5mA, 30mA电流 - 集电极截止（）1µA频率 - 转换-功率 - 150mW安装类型表面贴装封装/外壳SC-75, SOT-416供应商设备封装SOT-416包装带卷 (TR
稳压二极管BZT52C2V4-BZT52C75
信息内容：产品类型 稳压管 品牌/商标 国产 型号/规格 BZT52C2V4-BZT52C75 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 功率特性 小功率 频率特性 中频 出光面特征 微型管 发光强度角分布 标准型 反向电压VR 2.4（V） 正向直流电流IF 0（A） 数据列表BZT52CV0 - BZT52C39产品相片SOD-123产品变化通告Wire Change 16/Sept/2008Encapsulate Change 29/Aug/2008产品目录绘图SOD-123 500mW Side 2SOD-123 500mW TopSOD-123 500mW Side 1标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭单二极管/齐纳系列-电压 - 齐纳（标称）(Vz)2.4V电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（）900mV @ 10mA...
