N沟MOSF管IRF540NS
| 价 格： | 7.20 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRF540NS |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | CC/恒流 |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 100（V） | 夹断电压 | 100（V） |
| 极间电容 | 1960（pF） | 漏极电流 | 330（mA） |
| 耗散功率 | 1300（mW） |
| IRF540N(S,L)PbF |
| D2PAK Pkg |
| 50 |
| 分离式半导体产品 |
| MOSFET，GaNFET - 单 |
| HEXFET® |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 44 毫欧 @ 16A, 10V |
| 100V |
| 4V @ 250µA |
| 71nC @ 10V |
| 33A |
| 1960pF @ 25V |
| 130W |
| 表面贴装 |
| D²Pak，TO-263（2 引线 + 接片） |
| 管件 |
| *IRF540NSPBF |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRF7413
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRF7413 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 30（V） 夹断电压 4.5（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 数据列表IRF7413ZPbF产品相片8-SOIC产品目录绘图IR Hexfet 8-SOIC标准包装1类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 13A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(...
DTA113.SOT-416带阻尼三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 DTA113 应用范围 带阻尼 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 30（V） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 TRAN DIGITL PNP 50V 30MA SOT-346数据列表PDTA113E Series产品相片EMT3(SOT-416,SC-75)SOT416标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式系列-晶体管类型PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)（）100mA电压 - 集电极发射极击穿（）50V电阻器 - 基极 (R1)（欧）1K电阻器 - 发射极 (R2)（欧）1K在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)30 @ 40mA, 5VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）150mV @ 1.5mA, 30mA电流 - 集电极截止（）1µA频率 - 转换-功率 - 150mW安装类型表面贴装封装/外壳SC-75, SOT-416供应商设备封装SOT-416包装带卷 (TR
