达林顿晶体管MMBT6427
| 价 格： | 0.30 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD | 型号/规格 | MMBT6427 |
| 应用范围 | 达林顿 | 材料 | 硅(Si) |
| 极性 | NPN型 | 击穿电压VCBO | 40（V） |
| 集电极允许电流ICM | 1.2（A） | 结构 | 点接触型 |
| 封装形式 | 贴片型 | 封装材料 | 塑料封装 |
| 2N6427, MMBT6427 |
| SOT-23-3 |
| Mold Compound Change 12/Dec/2007 |
| Transistor SOT-23-3 Package |
| 3,000 |
| 分离式半导体产品 |
| 晶体管(BJT) - 单路 |
| - |
| NPN - 达林顿 |
| 1.2A |
| 40V |
| 1.5V @ 500µA, 500mA |
| 1µA |
| 14000 @ 500mA, 5V |
| 350mW |
| - |
| 表面贴装 |
| TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| SOT-23 |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRF540NS
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRF540NS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 100（V） 夹断电压 100（V） 极间电容 1960（pF） 漏极电流 330（mA） 耗散功率 1300（mW） 数据列表IRF540N(S,L)PbF产品相片D2PAK Pkg标准包装50类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C44 毫欧 @ 16A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100VId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs71nC @ 10V电流 - 连...
N沟MOSF管IRF7413
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRF7413 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 30（V） 夹断电压 4.5（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 数据列表IRF7413ZPbF产品相片8-SOIC产品目录绘图IR Hexfet 8-SOIC标准包装1类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 13A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(...
