FQPF10N60C原装TO-220韩国产地FAIRCHILD
| 价 格： | 8.00 |
| 品牌/商标 | FairChild仙童 | 型号/规格 | FQPF10N60C |
| 应用范围 | 功率 | 材料 | 硅(Si) |
| 极性 | PNP型 | 击穿电压VCBO | 600（V） |
| 集电极允许电流ICM | 9.5（A） | 集电极耗散功率PCM | 50（W） |
| 结构 | 点接触型 | 封装形式 | 直插型 |
| 封装材料 | 塑料封装 |
- 所属城市：广东 深圳
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达林顿晶体管MMBT6427
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 MMBT6427 应用范围 达林顿 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 40（V） 集电极允许电流ICM 1.2（A） 结构 点接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 数据列表2N6427, MMBT6427产品相片SOT-23-3产品变化通告Mold Compound Change 12/Dec/2007产品目录绘图Transistor SOT-23-3 Package标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN - 达林顿电流 - 集电极 (Ic)（）1.2A电压 - 集电极发射极击穿（）40VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）1.5V @ 500µA, 500mA电流 - 集电极截止（）1µA在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)14000 @ 500mA, 5V功率 - 350mW频率 - 转换-安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3, SC-59, SOT-23-3供应...
N沟MOSF管IRF540NS
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRF540NS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 100（V） 夹断电压 100（V） 极间电容 1960（pF） 漏极电流 330（mA） 耗散功率 1300（mW） 数据列表IRF540N(S,L)PbF产品相片D2PAK Pkg标准包装50类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C44 毫欧 @ 16A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100VId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs71nC @ 10V电流 - 连...
