P沟MOSF管IRF7416
| 价 格： | 3.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRF7416 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 30（V） | 夹断电压 | 0（V） |
| 跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 0（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 0（mA） |
| 耗散功率 | 0（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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FQPF10N60C原装TO-220韩国产地FAIRCHILD
信息内容：品牌/商标 FairChild仙童 型号/规格 FQPF10N60C 应用范围 功率 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 600（V） 集电极允许电流ICM 9.5（A） 集电极耗散功率PCM 50（W） 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装
达林顿晶体管MMBT6427
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 MMBT6427 应用范围 达林顿 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 40（V） 集电极允许电流ICM 1.2（A） 结构 点接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 数据列表2N6427, MMBT6427产品相片SOT-23-3产品变化通告Mold Compound Change 12/Dec/2007产品目录绘图Transistor SOT-23-3 Package标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN - 达林顿电流 - 集电极 (Ic)（）1.2A电压 - 集电极发射极击穿（）40VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）1.5V @ 500µA, 500mA电流 - 集电极截止（）1µA在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)14000 @ 500mA, 5V功率 - 350mW频率 - 转换-安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3, SC-59, SOT-23-3供应...
