西门子IGBT,BSM100GB120DN2
| 价 格： | 300.00 |
| 品牌/商标 | 西门子 | 型号/规格 | BSM100GB120DN2 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
| 封装外形 | SP/特殊外形 | 材料 | IGBT绝缘栅比极 |
| 开启电压 | 800（V） | 夹断电压 | 1200（V） |
| 跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 200（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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IR功率器件场效应管，IRF3710
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF3710 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 700（V） 夹断电压 1200（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 200（mA） 耗散功率 90（mW） 我司供应IR功率器件(MOSFET)IRF3710电流为57A，耐压为100V公司只经营全新原装产品，长期备有大量现货,价格有优势!深圳市凌通电子主要从事代理功率器件产品，主要致力于推广功率...
IR功率器件场效应管,IRF3205PBF
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 IRF3205PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 500（V） 夹断电压 1000（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 250（mA） 耗散功率 200（mW） 我司供应IR功率器件(MOSFET)IRF3205,电压为55V,电流为110A 公司只经营全新原装产品，长期备有大量现货,价格有优势！圳市凌通电子主要从事代理功率器件产品，主要致力于推广功率半导体器件的MO...
