价 格: | 面议 | |
型号/规格: | STP11NK50Z | |
品牌/商标: | ST(意法半导体) | |
封装形式: | TO220 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 单件包装 | |
功率特征: | 大功率 |
FET 类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
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FET 功能 | 标准 |
漏源极电压 (Vdss) | 500V |
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) | 10A (Tc) |
不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) | 520 毫欧 @ 4.5A,10V |
不同 Id 时的 Vgs(th)(值) | 4.5V @ 100μA |
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 68nC @ 10V |
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 1390pF @ 25V |
功率 - 值 | 125W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-220-3 |
包装 散装 IGBT 类型 NPT 电压 - 集射极击穿(值) 600V 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) 2.8V @ 15V,20A 电流 - 集电极 (Ic)(值) 40A Current - Collector Pulsed (Icm) 80A 功率 - 值 220W Switching Energy 195μJ 输入类型 标准 Gate Charge 68nC Td (on/off) A 25°C 20ns/115ns Test Condition 390V, 13A, 10 欧姆, 15V 反向恢复时间 (trr) 42ns 封装/外壳 TO-247-3 安装类型...
IGBT 类型 NPT 电压 - 集射极击穿(值) 600V 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) 2.35V @ 15V,30A 电流 - 集电极 (Ic)(值) 60A Current - Collector Pulsed (Icm) 120A 功率 - 值 304W Switching Energy 1175μJ 输入类型 标准 Gate Charge 102nC Td (on/off) A 25°C 46ns/185ns Test Condition 400V, 30A, 10 欧姆, 15V 反向恢复时间 (trr) 125ns 封装/外壳 TO-247-3(TO-247AD) 安装类型 通孔 ...