价 格: | 面议 | |
型号/规格: | STGW39NC60VD | |
品牌/商标: | ST(意法半导体) | |
封装形式: | TO247 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 直插式 | |
包装方式: | 单件包装 | |
功率特征: | 超大功率 |
IGBT 类型 | - |
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电压 - 集射极击穿(值) | 600V |
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) | 2.4V @ 15V,30A |
电流 - 集电极 (Ic)(值) | 80A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 220A |
功率 - 值 | 250W |
Switching Energy | 870μJ |
输入类型 | 标准 |
Gate Charge | 126nC |
Td (on/off) A 25°C | 33ns/178ns |
Test Condition | 390V, 30A, 10 欧姆, 15V |
反向恢复时间 (trr) | 45ns |
封装/外壳 | TO-247-3 |
FET 类型 MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能 标准 漏源极电压 (Vdss) 500V 电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 10A (Tc) 不同 Id、Vgs 时的 Rds On(值) 520 毫欧 @ 4.5A,10V 不同 Id 时的 Vgs(th)(值) 4.5V @ 100μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 68nC @ 10V 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 1390pF @ 25V 功率 - 值 125W 安装类型 通孔 封装/外壳 TO-220-3 深圳市东柏森电子有限公司(原:深圳市福田区锦煜电子商行)成立于2004年,从事电子元器件贸易的配套服务, 致于原装IR(国际整流器公司)、VISHAY(威世)、ST(意法半导体...
包装 散装 IGBT 类型 NPT 电压 - 集射极击穿(值) 600V 不同 Vge、Ic 时的 Vce(on) 2.8V @ 15V,20A 电流 - 集电极 (Ic)(值) 40A Current - Collector Pulsed (Icm) 80A 功率 - 值 220W Switching Energy 195μJ 输入类型 标准 Gate Charge 68nC Td (on/off) A 25°C 20ns/115ns Test Condition 390V, 13A, 10 欧姆, 15V 反向恢复时间 (trr) 42ns 封装/外壳 TO-247-3 安装类型...