品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRF530NS |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 开启电压 | 100(V) |
夹断电压 | 4(V) |
TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET
IRF530N(S,L)PbF |
D2PAK, TO-263 |
IR Hexfet D2PAK |
800 |
分离式半导体产品 |
FET - 单路 |
HEXFET® |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
逻辑电平门 |
90 毫欧 @ 9A, 10V |
100V |
17A |
4V @ 250µA |
37nC @ 10V |
920pF @ 25V |
3.8W |
表面贴装 |
TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB |
品牌/商标 其他 型号/规格 SI9410DY 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 30(V) 夹断电压 10(V) 跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW) SO8, N沟MOSFET数据列表SI9410DY产品相片8-SOIC标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列TrenchMOS™FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25°...
品牌/商标 其他 型号/规格 IRF7303 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 30(V) 夹断电压 0(V) 跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW)