N沟MOSF管IRF7303
| 价 格： | 3.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRF7303 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 30（V） |
| 夹断电压 | 0（V） | 跨导 | 0（μS） |
| 极间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 0（mA） | 耗散功率 | 0（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管STD35NF3LL
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STD35NF3LL 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 开启电压 30（V） 夹断电压 2.5（V）
放大三极管MMBTH10 . SOT-23
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 MMBTH10 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 25（V） 截止频率fT 650（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NA Small Signal Transistors PNP General Purpos数据列表MPSH10, MMBTH10产品相片SOT-23-3产品变化通告Mold Compound Change 12/Dec/2007产品目录绘图Transistor SOT-23-3 Package标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭RF 晶体管 (BJT)系列-晶体管类型NPN电压 - 集电极发射极击穿（）25V频率 - 转换650MHz噪声系数（dB典型值@频率）-增益-功率 - 225mW在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)60 @ 4mA, 10V电流 - 集电极 (Ic)（）50mA安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3, SC-59, SOT-23-3供应商设备封装SOT-23-3 (TO-236)包装...
