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N沟MOSF管SI9410DY

价 格: 0.60

品牌/商标 其他 型号/规格 SI9410DY
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大
封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 30(V) 夹断电压 10(V)
跨导 0(μS) 极间电容 0(pF)
低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA)
耗散功率 0(mW)

SO8, N沟MOSFET

数据列表产品相片标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏极至源极电压(Vdss)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - 安装类型封装/外壳供应商设备封装包装
SI9410DY
8-SOIC
2,500
分离式半导体产品
FET - 单路
TrenchMOS™
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
30 毫欧 @ 7A, 10V
30V
-
1V @ 250µA
50nC @ 10V
-
2.5W
表面贴装
8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)
8-SO
带卷 (TR)

深圳市钜腾电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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  • 联系人: 孔维年
  • 电话:755-83260808
  • 传真:755-83260808
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N沟MOSF管IRF7303

信息内容:

品牌/商标 其他 型号/规格 IRF7303 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 30(V) 夹断电压 0(V) 跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW)

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N沟MOSF管STD35NF3LL

信息内容:

品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STD35NF3LL 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 开启电压 30(V) 夹断电压 2.5(V)

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