P沟MOSF管SI2315DS
| 价 格： | 0.50 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | SI2315DS |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | SB肖特基势垒栅 |
| 开启电压 | 12（V） | 夹断电压 | 6（V） |
SOT-23 12V-400V, P沟MOSFET
| SI2315BDS |
| SOT-23-3 |
| SC75(A), SC89-3, SOT-23, SOT-323 |
| 1 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| TrenchFET® |
| MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 50 毫欧 @ 3.85A, 4.5V |
| 12V |
| 3A |
| 900mV @ 250µA |
| 15nC @ 4.5V |
| 715pF @ 6V |
| 750mW |
| 表面贴装 |
| TO-236-3, SC-59, SOT-23 |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRF530NS
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF530NS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 开启电压 100（V） 夹断电压 4（V） TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRF530N(S,L)PbF产品相片D2PAK, TO-263产品目录绘图IR Hexfet D2PAK标准包装800类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C90 毫欧 @ 9A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C17AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs37nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)920pF @ 25V功率 - 3.8W安装类型表面贴装封装/外壳TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
N沟MOSF管SI9410DY
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 SI9410DY 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 30（V） 夹断电压 10（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） SO8, N沟MOSFET数据列表SI9410DY产品相片8-SOIC标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列TrenchMOS™FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25°...
